據業內人士透露三星電子的3納米GAA工藝仍面臨漏電等關鍵技術問題
發布時間：2021-08-29 23:30 來源：IT之家 閱讀量：8465
據業內人士透露，三星電子的3納米GAA工藝仍面臨漏電等關鍵技術問題據消息人士稱，這種工藝在性能和成本方面可能不如TSMC的3納米FinFET工藝
根據《電子時報》報告，上述人士表示，三星最早可能在2022年量產其3nm GAA工藝，但由于成本高，性能不理想，可能無法吸引到TSMC 3nm fin fet工藝獲得的客戶，據說該工藝已經獲得了蘋果和英特爾的訂單。
預計TSMC將在2022年下半年將其3納米FinFET工藝推向量產CEO魏哲佳在最近的財報發布會上表示，N3將是我們N5的又一次全面擴張，將采用FinFET晶體管結構，為我們的客戶提供最佳的技術成熟度，性能和成本
在失去蘋果iPhone處理器訂單后，三星在尖端芯片的競爭中落后于TSMC據市場觀察人士稱，從蘋果手中奪回訂單將是這家韓國供應商贏得3納米競爭的關鍵
（責編：安靖）
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