銘鎵半導體實現4英寸氧化鎵晶圓襯底技術突破

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最近幾天，北京明伽半導體有限公司利用導模法成功制備出高質量主面4英寸氧化鎵單晶，完成了4英寸氧化鎵晶片襯底的技術突破，并進行了反復實驗，成為國內首家掌握第四代半導體氧化鎵材料4英寸單晶襯底生長技術的工業化公司。

根據晶圓測試和分析，其晶體質量和加工工藝也保持在產品級標準勞厄測試表明，衍射斑點清晰，對稱，表明晶體單晶性好，無孿晶

圖:單晶晶片的均方根值:0.490納米

圖:晶片搖擺曲線的FWHM:72弧度秒

穩態氧化鎵晶體具有單斜結構和解理面就生長技術而言，以晶相為主平面的氧化鎵晶體更容易生長，但以晶體為主平面的生長技術對工藝控制要求極高就加工工藝而言，在相同的加工條件下，面的表面質量和成品率更好，該面容易解理和斷裂，難以實現高效率和高質量的表面加工從應用的角度來看，主面晶相的氧化鎵更適合用于功率半導體器件，因此主面晶相的氧化鎵生長很難控制，但具有很大的工業價值換句話說，如果沒有大主面晶相的氧化鎵的生長過程，推進氧化鎵的市場應用將會極其困難

同時，明伽公司的光學晶體已經完成中試，開始改造和量產明加公司生產的摻雜人工光學晶體得到了客戶的廣泛認可此外，磷化銦多晶材料生產線也已投產，完成重點客戶認證，獲得長期穩定訂單

本站了解到，北京明伽半導體有限公司是新型高頻大功率半導體材料產業化的先行者之一，致力于半導體人工晶體產業的多元化發展，從事相關高頻大功率器件的設計，研發和產業化R&D總部位于北京順義，主要生產基地在河南，設備R&D在深圳公司擁有完整的材料R&D和生產線，總面積超過20，000平方米

今年6月底，明伽半導體完成A輪融資近1億元本輪融資主要用于氧化鎵項目的擴產和研發預計到2023年底，建成國內首條集晶體生長，晶體加工，薄膜外延為一體的氧化鎵完整產業線2021年，2英寸氧化鎵襯底材料小批量生產，不僅由科研院所開發，還提供給重要企業客戶小批量使用

Ga半導體國際R&D產業團隊核心成員包括來自日本國立佐賀大學，東京大學，東京工業大學，清華大學，九州大學，中國科學院等多所博士R&D團隊，以及盧曉科技，SMIC等多位擁有10年以上工作經驗的總監型產業技術人才，員工近百人。

明半導體自主研發建設創新型R&D基地，可滿足氧化鎵單晶生長，氧化鎵異質/同質外延片生長，多摻雜大尺寸人工光學晶體生長，磷化銦多晶/單晶生長，晶體加工，芯片器件系統制造和測試等技術開發和成品規?；a為國內從事高頻大功率半導體后端器件研發的研究機構和企業提供上游物質保障