國星光電：公司MicroLED芯片實現小批量供貨已開展GaN功率器件研發高品質的功率器件封測業務
最近幾天，國星光電在接受投資者調研時表示，公司聚焦Mini/Micro LED超高清顯示領域， 持續推出有核心競爭力的產品系列:Mini LED方面，公司研發覆蓋了Mini直顯P0.4到P0.9全系列產品，其中 Mini LED P0.4系列產品為全球首發，采用獨創 20in1 封裝方式，是目前全球封裝密度最高的Mini產品，Mini背光方面，公司儲備Mini POB，Mini COB，Mini COG三大技術路線，可滿足不同客戶定制化需求。
Micro LED方面，國星光電發揮子公司國星半導體與本部上下游聯動優勢，巨量轉移工藝取得突破性進展，產品良率高，同時國星半導體已開發了面向于P0.3間距及面向P0.1間距的Micro LED芯片系列，并實現小批量供貨給國星光電研究院。此外，關于第三代半導體，國星光電表示，主要是由公司研究院的幾位博士帶領10-15人的研究團隊，研發的產品主要是電力電子用功率器件，包括SBD，MOSFET，DFN，QFN等產品，以及一些定制化的模塊，主要針對車輛，充電樁等市場領域，公司也在積極聯系這些領域的終端客戶。
國星光電稱，目前國星半導體以 RGB芯片，倒裝芯片，紫光芯片等利基型產品為主，同時研發布局Mini和Micro領域，形成了Mini背光和Mini顯示兩大系列的芯片產品，同時發揮上下游垂直聯動的優勢，協同
本部研究院進行Micro LED關鍵技術的攻關，在第三代半導體領域，聯合多所高校及研究所，發揮產學研協同優勢，展開GaN功率器件，紫外探測器芯片，深紫外UVC芯片等方向的研發工作，參與兩項第三代半導體方向的省級研發項目。。
對于第三代半導體的布局，國星光電表示，公司一直高度關注三代半領域的技術發展與技術研究，致力于打造高可靠性，高品質的功率器件封測業務在上游芯片領域，公司有布局硅基氮化鎵的外延芯片，中游封裝領域，公司已建成第三代半導體功率器件實驗室及試產線，下游應用領域公司也在積極與相關企業洽談戰略性合作，并針對客戶的應用需求定制開發樣品等
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