臺積電3nm制程目前良率最高63%，尚不及4nm工藝

，據外媒報道，臺積電仍采用鰭式場效應晶體管架構的 3nm 制程工藝，在去年的 12 月 29 日正式開始商業化生產，量產之后產能在不斷提升。

對于臺積電量產已一個季度的 3nm 制程工藝，有外媒在報道中預計目前的良品率為 63% 或更低。

就外媒在報道中提到的良品率而言，臺積電 3nm 制程工藝目前的良品率，同更早投產的 4nm 還是有差距。外媒在報道中表示，臺積電 4nm 制程工藝的良品率目前預計在 80% 左右。

雖然目前臺積電 3nm 制程工藝的良品率，預計同 4nm 還有差距，但隨著量產時間的延長，良品率還會繼續提升，未來有望達到甚至超過 4nm 工藝的水平。

全球目前有兩家晶圓代工商已量產 3nm 制程工藝，另一家是三星電子。三星電子的 3nm 制程工藝在去年的 6 月 30 日量產，較臺積電早近半年，所代工的首批晶圓，也已在去年的 7 月 25 日發貨。

不過外媒在報道中，并未提及三星電子 3nm 制程工藝目前的良品率，但他們表示三星電子 4nm 制程工藝的良品率有明顯提升，最少達到了 70%，已接近臺積電 4nm 制程工藝的良品率。