三星預計2025-2026年量產第十代V-NAND閃存，直接跳到430層
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據韓國媒體Elec報道，三星將加快3D NAND的堆疊進程，正在討論將預計2025—2026年量產的第十代V—NAND的堆疊層數躍升至430層。
三星此前宣布，將在2030年前開發1000層V—NAND閃存與此同時，下一代V—NAND路線圖的輪廓也逐漸浮出水面
據報道，三星計劃在2024年量產的第九代V—NAND將在280層3D NAND的范圍內對于預定2025—2026年量產的第十代V—NAND，三星正在討論跳過300層，直接上430層
分析稱，具體工作正在按照2030年開發1000層V—NAND的目標一步步推進人們還觀察到，三星總裁李在镕強調的超級差距戰略的實施速度正在加快
此外，據業內人士透露，三星已經擬定了九代，十代等V—NAND單元數量的大致路線圖，正在多角度開發產品。
本站了解到，V—NAND是三星在2013年發起的一種閃存技術，通過在垂直堆疊的平面層的三維空間中鉆孔來連接每一層。
2013年出現的第一代V—NAND有24層此后又陸續推出了第二代32層，第三代48層，第四代64層，第五代92層，第六代128層，第七代176層每一代都經歷了大約一年到一年零六個月的量產
三星宣布2022年11月量產第八代V—NAND，堆疊層數為236層據報道，第八代V—NAND可以提供1Tb的解決方案三星電子沒有透露IC的尺寸和實際密度，但他們稱之為業界最高的位密度
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