安世半導體Nexperia發布具備市場領先效率的晶圓級12V和30VMO
，Nexperia宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號溝槽MOSFET該產品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝，具有市場領先的RDS特性，在空間有限，續航至關重要的情況下，可以讓電量持續更長時間
新型MOSFET非常適用于智能手機，智能手表，助聽器，耳機等高度小型化的電子產品，迎合了功能更智能，更豐富的趨勢，滿足了系統功耗不斷增加的需求。
與競爭對手RDS器件相比，性能提升25%，可以最大限度降低能耗，提高負載開關和電池管理的效率其優異的性能還體現在自發熱的減少，從而提升可穿戴設備的用戶舒適度
特別是，當VGS =4.5V時，PMCB60XN和PMCB60XNE的最大RDS分別為50mΩ和55mΩ因此，在市場同類30V MOSFET中，PMCB60XN和PMCB60XNE的單芯片面積導通電阻最低此外，PMCB60XNE可以在1.0mm ×0.6mm ×0.2mm的DSN1006小尺寸中提供額定2kV ESD保護..兩個MOSFET的額定漏極電流可以達到4A
除了這兩款采用DSN1006封裝的MOSFET，Nexperia還推出了一款采用DSN1010封裝的12V N溝道溝槽MOSFET PMCA14UNPMCA14UN在VGS = 4.5 V時的最大RDS為16mΩ，在0.96mm ×0.96mm ×0.24mm的尺寸下可以達到市場領先的效率
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