65W以上快充新突破，世界先進公司0.35微米650V氮化鎵制程量產
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，世界先進公司宣布，其領先的八英寸0.35微米650V新型襯底高壓氮化鎵工藝已在客戶端完成首批產品系統和可靠性驗證，正式進入量產，是專用集成電路制造服務領域首家量產該技術的公司。
2018年，世界先進公司利用Qromis襯底技術開發了八英寸QST襯底的0.35微米650V GaN—on—QST工藝，于今年第一季度完成，第四季度成功量產同時，世界先進公司與集成元件制造工廠和IC設計公司進行了合作
與硅襯底相比，QST襯底與氮化鎵外延層具有更好的熱膨脹系數匹配氮化鎵在工藝中堆疊時，還可以減少翹曲碎片，更有利于量產先進公司的0.35微米650V GaN—on—QST工藝可以配合公司現有的八英寸硅片設備進行開發和生產，以實現最佳的生產效率和產量根據客戶端的系統驗證結果，世界先進公司提供的氮化鎵晶片已經在快充市場得到應用，其系統效率達到了65W以上快充產品的世界領先水平此外，基于QST襯底良好的散熱特性，國際上先進公司提供的氮化鎵晶圓在整體快充方案效率方面散熱性能更好
本站了解到，世界先進公司首席運營官魏吉石博士表示:作為專用集成電路制造服務的領先制造商，世界先進公司不斷改進工藝技術，為客戶提供最有效的完整解決方案和高附加值服務我們的0.35μ m 650V GaN—on—QST工藝具有高效和可靠的優勢，不僅為客戶提供了更優化的IC設計選擇，也有助于提升客戶產品的競爭力
世界公司先進的0.35μ m 650V GaN—on—QST工藝，除650V元件外，還提供內置靜電保護元件，讓客戶更方便地進行設計選擇此外，這種工藝不僅具有更好的可靠性和可靠性，而且對于更高電壓的可擴展性，世界先進公司已經與一些客戶合作，以滿足他們的產品要求
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