盛美上海為硅片和碳化硅襯底制造推出新型預清洗設備
作為半導體前端和先進晶圓級封裝應用的晶圓工藝解決方案的領先供應商，上海梅生有限公司最近推出了一種新型的后CMP清洗設備這是梅生上海的第一臺CMP后清洗設備，用于制造高質量基片的化學機械拋光工藝后的清洗清洗設備的6英寸和8英寸配置適用于制造碳化硅襯底，8英寸和12英寸配置適用于硅片制造該設備有兩種配置:濕進干出和干進干出，可配備2，4或6個空腔，最大生產能力為每小時60片晶片
上海梅生董事長王暉博士表示:全球設備供應鏈的交付時間持續延長，這為上海梅生提供了絕佳的機會我們可以憑借在半導體清洗技術方面的豐富經驗進入清洗市場，并進一步擴大清洗產品組合CMP后清洗設備為梅生上?？蛻籼峁┝朔€定，可靠，高性價比的解決方案，同時可以縮短交貨時間，大大緩解短缺
在CMP步驟之后，有必要在低溫下用稀釋的化學物質進行物理預清洗過程，以減少顆粒的數量上海梅生的CMP后清洗設備可以滿足這些要求，并提供多種配置，包括由上海梅生首創的SmartMegasonixTM高級清洗技術
第一種配置是新的WIDO在線預清洗設備，它可以直接與現有的CMP設備接口將晶片自動轉移到兩個刷洗腔中，同時用化學和冷去離子水處理晶片的正面，背面和斜邊然后，晶片被轉移到兩個或四個清洗室，用各種化學藥品和CDIW處理這一過程由氮氣干燥和高速旋轉完成，可實現37 nm以下殘留顆粒小于15個或28 nm以下殘留顆粒20—25個的處理，而金屬污染可控制在1E+8 以內當配置四個空腔時，WIDO預清洗設備每小時可以提供多達35個晶片
第二種配置是新的DIDO預清洗單機設備，配備四個裝載口，比WIDO預清洗設備占地面積小適用于CMP生產線內置清洗室的客戶，從而保持取出的晶圓干燥在這種配置中，通過裝載口將晶片手動轉移到預清洗設備，然后進行與在WIDO預清洗設備中相同的處理DIDO預清洗設備有四腔或六腔配置，分別是兩個軟刷和兩個清洗腔或兩個軟刷和四個清洗腔DIDO預清洗設備可以達到和WIDO預清洗設備一樣的金屬污染清洗效果使用六腔設備時，生產能力可達每小時60片
第三種可用的配置是WIDO離線預清洗設備，適用于小尺寸的晶圓廠當使用該設備時，從CMP設備出來的濕晶片需要轉移到DIW，并手動轉移到WIDO離線預清洗設備使用相同的清洗工藝，可以達到相同的顆粒清洗性能，產能可以達到每小時60片
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