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三星宣布開始大規模生產基于極紫外技術的14nmDRAM

發布時間:2021-10-13 15:37   來源:IT之家   閱讀量:18527   

日前,三星宣布開始大規模生產基于極紫外技術的14 nm DRAM。

繼去年3月首款EUV DRAM出貨后,目前EUV層數將增至5層,這將為DDR5提供更好的解決方案。

三星電子高級副總裁,DRAM產品與技術負責人Jooyoung Lee表示,我們通過探索關鍵的創新圖案化技術,引領DRAM市場近三年現在,三星正在通過多層EUV建立另一個技術里程碑,實現了14 nm的極致——,這是傳統氟化氬工藝無法實現的壯舉在此基礎上,我們將繼續為5G,AI和虛擬世界中需要更高性能和更大容量的數據驅動計算提供最差異化的內存解決方案

通過在14納米動態隨機存取存儲器中增加五個EUV層,三星實現了超高的位密度,并將整體晶圓生產率提高了約20%此外,與上一代DRAM相比,14 nm工藝有助于將功耗降低近20%

根據最新的DDR5標準,三星的14 nm DRAM可以帶來7.2Gbps的超高速,是上一代DDR4最高3.2Gbps速度的兩倍多。

與此同時,三星計劃擴大其14納米DDR5的產品組合,以支持數據中心,超級計算機和企業服務器應用此外,三星預計將14 nm DRAM芯片密度提升至24Gb,以更好地滿足全球IT系統快速增長的數據需求

(責編:文輝)

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