英特爾目前的10納米芯片可以與TSMC和三星的7納米芯片競爭

據報道，英特爾今年早些時候宣布，將重新奪回在CPU制造領域和PC行業的領先地位無可爭議的領導地位這些目標確實令人興奮，但他們沒有透露如何實現這些目標

現在，該公司的首席執行官帕特米多，帕特基爾辛格和技術開發高級副總裁安米多，安凱萊赫終于透露了他未來的計劃。

首先，英特爾不再使用以前的產品命名方法他們之前將10納米芯片命名為增強超級鏈接，現在直接改名為7這可能會給人一種名不副實的感覺，迫使他們提高價格，因為人們很容易把7誤認為7 nm產品

但平心而論，納米級別的生產工藝已經不能真正對應物理狀態在密度方面，英特爾目前的10納米芯片可以與TSMC和三星的7納米芯片競爭

超過7納米，英特爾制定了非常積極的年度產品更新計劃預計該公司將于今年秋季推出Alder Lake芯片，該芯片將集成高功率和低功率內核然后，目前的4 nm流星湖芯片被遷移到瓦片設計，并與英特爾的3D堆疊芯片技術Foveros集成

此外，英特爾還為基于EUV的3納米芯片設計了一項技術，該技術將使用高能制造工藝簡化芯片制造過程，并計劃采用艾米級技術，20A的輸入單位1 Amy等于1/10納米，所以20A表示2納米，然后是18A18A產品預計從2025年開始投產，2025—2030年間將有相應產品上市

此外，盡管這些技術水平不再直接對應于實際的物理結構，但硅原子實際上僅在2 emi寬的范圍內，因此它實際上是一個非常小的晶體管。