中科院院士、我國著名半導體光電子學家王圩去世，享年86歲

據中科院半導體所公告，中國科學院院士，中科院半導體所研究員，我國著名半導體光電子科學家王偉先生，因病醫治無效，于2023年1月26日18時11分在北京逝世，享年86歲。

王維院士，1937年12月25日出生于河北文安1960年畢業于北京大學物理系半導體專業同年，在中國科學院半導體研究所工作他是我國著名的半導體光電子學專家，為我國半導體學科建設，技術創新，產業振興和人才培養做出了重要貢獻本站了解到，王偉院士先后獲得國家六五攻關獎，中國科學院科技進步一等獎，國家科技進步二等獎，中國材料研究學會科技一等獎1997年當選中國科學院院士

王偉院士在半導體光電子領域辛勤耕耘，碩果累累，取得了一系列重要科研成果20世紀60年代，我國首先研制出無位錯硅單晶，為我國硅平面晶體管和集成電路的發展做出了貢獻20世紀70年代，我國首次研制出單異質結室溫脈沖大功率激光器和面發射高亮度LED，并成功應用于夜視，引信，目標射擊和精密測距儀參與建立了我國第一批?！猇族化合物液相外延方法，為我國首次研制成功GaAs基短波長脈沖激光器奠定了基礎20世紀80—90年代，研制成功1.3微米/1.5微米激光器和應變量子阱動態單模分布反饋激光器，為我國發展第二代，第三代長距離大容量光纖通信提供了急需的光源進入新世紀以來，他開展了大應變量子阱材料和不同帶隙量子阱材料的單片集成等關鍵技術研究，建立了可以集成半導體激光器，電吸收調制器，光放大器，探測器和耦合器的集成技術平臺，為發展多種光學元件的單片集成技術奠定了基礎